多弧離子鍍膜機主要是通過用多個金屬蒸發源來作為其陰極，并且通過和陽極之間產生弧光放電，這時靶材蒸發粒子在離化之后與進到工作室內的氣體發生反應，從而使生產的化合物沉淀在被鍍膜基材的表面上形成膜。在鍍膜的過程中，真空壓強、弧源偏壓和電流、通入的氣體的流量以及真空的溫度等都要求非常精準的設定和控制，其整個工藝的流程主要由予抽真空、真空工作、轟擊和濺射、鍍膜以及出爐等幾大部分所構成，具體的流程如下所述：
開始-檢查儀器儀表-擴散泵預熱-裝零件，關爐門-抽真空到設定壓力P1-充入氣體到設定壓力P2-工件轉動，根據設定轟擊方式及次數完成轟擊-設定濕度，鍍膜偏壓-鍍膜壓力到設定值P3-根據設定流量放入氣體B-逐級加偏壓鍍膜一定時間-出爐。
CCZK-ION多弧離子真空鍍膜機
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